VBZE16N05 دیتاشیت

VBZE16N05

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت VBZE16N05
حجم فایل 63.107 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 8

مشاهده دیتاشیت VBZE16N05

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: VBsemi Elec VBZE16N05
  • Power Dissipation (Pd): -
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): -
  • Drain Source Voltage (Vdss): 60V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): -
  • Continuous Drain Current (Id): 41A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): -
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): -
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 26mΩ@10V,41A
  • Package: TO-252
  • Manufacturer: VBsemi Elec

محصولات مشابه